CMT8120W0替代NSi8220W0-DSWVR，高可靠性双通道数字隔离器-推荐产品-鼎联微电子(上海)有限公司-隔离耐压3750Vrms, 5000Vrms, 8000Vrms
-VDE增强型隔离认证
-数据速率DC至150Mbps
-高CMTI:200kV/μs
-芯片级ESD: HBM: ±8kV
-增强的系统级ESD 、EFT、抗浪涌能力
-隔离栅寿命：>60年
-低传播延迟典型值<15ns
-低功耗: 1.5mA/ch (1 Mbps)
-工作温度：-55~125℃
-符合RoHS的封装：SOP8, SOW8,SOW16, SOWW16
- UL1577认证: 1分钟 3.75kVrms/5kVrms/8kVrms
- CQC认证：符合GB4943.1-2011
- CSA认证：组件符合5A
-VDE认证：DIN V VDE V 0884-11:2017-1
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证，符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率：DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围：2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围：-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅：
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗，1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟：典型值为 9 ns（由 5V 电源供电）
• SOIC -16 封装（宽体），WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8（窄体)
