最高信令速率:1Mbps
低功耗,每个通道的典型ICC(3.3-V操作):
ISO7420:1.1毫安,ISO7421:1.5毫安
低传播延迟–9 ns典型
低倾斜–典型300 ps
宽TA范围:-40°C至125°C(M级)
50 kV/μs瞬态抗扰度,典型
额定电压下超过25年的绝缘完整性
在3.3V和5V电源和逻辑电平下工作
3.3伏和5伏电平转换
窄体SOIC-8封装
安全和监管批准:
4242 VPK隔离符合DIN V VDE V 0884-10和DIN EN 61010-1
根据UL 1577,2500 VRMS隔离1分钟
CSA部件验收通知5A、IEC 60950-1和IEC 61010-1标准
CQC认证依据GB4943.1-2011
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率:DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅:
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)
• SOIC -16 封装(宽体),WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8(窄体)