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CMT8263N1替代ADuM263N1BRIZ . 稳健的5.0 kVrms六通道数字隔离器,带故障安全和3反向通道

ADuM263N1BRIZ
产品参数展示

高共模瞬变抗扰度:100 kV/μs

对辐射和传导噪声的高抗干扰能力

低传播延迟

13 ns(最大值,5 V)

15 ns(最大值,1.8 V)

最大保证数据速率:150 Mbps

低动态功耗

1.8 V至5 V电平转换

工作温度最高可达:125°C

故障安全高或低选项

16引脚宽体SOIC_IC封装,符合RoHS标准

安全和法规认证(申请中)

UL认证:1分钟5000 V rms,符合UL 1577

CSA元件验收通知5A

VDE合格证书

DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12

VIORM = 849 V 峰值

CQC认证符合GB4943.1-2011

CMT8263N1
产品参数展示

• 安全相关认证

  DIN VDE V 0884-11: 2017-01

  符合 UL 1577 组件认证

  CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准

  符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

  符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。

•增强电磁兼容性(EMC)

  系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性

  ±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护

  低辐射

• 数据率:高达150 Mbps

• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V

• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C

• 稳健可靠的隔离栅:

  可实现 40 年以上的预期使用寿命

  高达 5 kVRMS 隔离额定值

  高达 8 kV 浪涌能力

  ±250 kV/μs 典型 CMTI

• 默认输出高电平和低电平选项

• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA

• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)

• SOIC16 封装 (宽体和窄体)

功能框图
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