CMT8120N1替代π120U31 增强ESD功能 150Kbps 双通道数字隔离器-推荐产品-鼎联微电子(上海)有限公司超低功耗: 0.55mA/通道(150Kbps时)
高速率: 150kbps
高CMTI值: 250kV/µs
对辐射和传导噪声的高抗干扰能力
隔离电压:
π12xx3x: 交流3000Vrms
π12xx6x: 交流5000Vrms
增强ESD防护能力:
ESDA/JEDEC JS-001-2017
HBM模式±8kV
安规认证：
UL认证编号: E494497
符合UL1577标准3000V/5000VRMS隔离电压
CSA器件验收通知5A
VDE认证编号: 40053041/40052896
最大重复峰值隔离电压565V/1200V，符合DIN VDE V
0884-11:2017-01
符合GB4943.1-2011的CQC认证
3V至5.5V电平转换
宽温度范围: -40℃～125℃
符合RoHS要求的NB SOIC-8,WB SOI-16封装
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证，符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率：DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围：2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围：-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅：
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗，1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟：典型值为 9 ns（由 5V 电源供电）
• SOIC -16 封装（宽体），WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8（窄体)
