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CMT8121W0M替代NCID9210R2 高速双通道,双向陶瓷数字隔离器

NCID9210R2
产品参数展示

片外电容隔离,实现可靠的高压绝缘

绝缘穿断距离(DTI):≥0.5 mm

最大绝缘工作电压:2000vpeak

全双工,双向通信

100 KV/ s最小共模抑制

高速:

50mbit /s数据速率(NRZ)

最大传输延迟25ns

10ns最大脉冲宽度失真

8mm漏电和间隙距离,实现可靠的高压绝缘。

规格保证超过2.5 V至5.5 V供电电压和- 40°C至125°C扩展温度范围

超温检测

NCIV前缀汽车和其他应用需要独特的站点和控制变化要求;AEC−Q100合格和PPAP能力(待定)

安全和监管批准

UL1577、5000 VRMS 1分钟

DIN EN/IEC 60747−17(待定)

CMT8121W0M
产品参数展示

• 安全相关认证

  DIN VDE V 0884-11: 2017-01

  符合 UL 1577 组件认证

  CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准

  符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

  符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。

•增强电磁兼容性(EMC)

  系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性

  ±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护

  低辐射

• 数据率:DC 至 150 Mbps

• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V

• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C

• 稳健可靠的隔离栅:

  可实现 40 年以上的预期使用寿命

  高达 5 kVRMS 隔离额定值

  高达 8 kV 浪涌能力

  ±200 kV/μs 典型 CMTI

• 默认输出高电平和低电平选项

• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA

• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)

• SOIC -16 封装(宽体),WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8(窄体)

功能框图
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