CMT8120N1替代2DIB0401F 适用于工业应用的基本双通道数字隔离器-推荐产品-鼎联微电子(上海)有限公司•数据速率高达40 Mbps
•宽工作电源电压2.7 V至6.5 V
•低电流消耗(最大1.65 mA/ch @ 1 Mbps, 3.3 V, 15 pF)
•高CMTI: 100 kV/µs (min)
•传播延迟:26 ns(类型)与3 ns(最大)通道到通道的不匹配
•最大脉冲宽度失真3ns
•故障安全默认输出高(2DIBx401F)或低(2DIBx400F)选项
•可变输入阈值(CMOS)
宽环境工作温度范围(-40°C至+125°C)
符合rohs标准的PG-DSO-8窄体150mil封装
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证，符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率：DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围：2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围：-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅：
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗，1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟：典型值为 9 ns（由 5V 电源供电）
• SOIC -16 封装（宽体），WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8（窄体)
