CMT8121N1替代ISO7021DR,超低功耗双通道数字隔离器-推荐产品-鼎联微电子(上海)有限公司•超低功耗
–4.8μA每通道静态电流（3.3V）
–100kbps（3.3V）时每个通道15μA
–120μA每个通道，1Mbps（3.3V）
•坚固的隔离屏障
–>100年的预计寿命
–3000VRMS隔离等级
–±100kV/μs典型CMTI
•宽电源范围：1.71V至1.89V和2.25V至5.5V
•温度范围广：-55°C至125°C
•小型8-SOIC封装（8-D）
•信号传输速率：最高4Mbps
•默认输出高（ISO7021）和低（ISO7021F）选项
•强大的电磁兼容性（EMC）
-系统级ESD、EFT和浪涌抗扰度
–±8kV IEC 61000-4-2隔离栅接触放电保护
–极低排放
•安全相关认证：
–IEC 60747-17标准（VDE 0884-17）
–UL 1577部件识别程序
–IEC 62368-1、IEC 61010-1和GB 4943.1–IECEx（IEC 60079-0和IEC 60079-11）和ATEX（EN IEC60079-0和EN 60079-11
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证，符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率：DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围：2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围：-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅：
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗，1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟：典型值为 9 ns（由 5V 电源供电）
• SOIC -16 封装（宽体），WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8（窄体)
