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CMT8100N替代Si86S600AE-IS4,低功耗I2C隔离器
Si86S600AE-IS4
产品参数展示

•独立，双向SDA/SCL隔离通道

•开路漏极输出35毫安下沉电流

•支持I2C时钟高达1.7 MHz

•单向隔离通道支持额外的系统信号(Si86S605, Si86S606)

•最多可隔离6000个VRMS

•UL, CSA, VDE, CQC认证

•高电磁抗扰度

•宽工作电源电压

•3.0至5.5 V

•AEC-Q100认证

•宽温度范围- 40至+125°C

•暂态抗扰度100kv /µs

•符合rohs标准的封装

- NB SOIC-8

- SSO-8

- WB SOIC-16

- QSOP-16

•汽车级opn可用-符合AIAG的PPAP文档支持- IMDS和CAMDS列表支持

CMT8100N
产品参数展示

•高达 3750/5000 Vrms 的绝缘电压

•I2C 时钟速率:高达2MHZ

•电源电压:2.5V至5.5V

•高CMTI: 150 kV/us

•芯片级 ESD:HBM，±8 kV

•高系统级 EMC 性能:

•增强的系统级 ESD、EFT、浪涌能力

•隔离栅寿命:>40年

•低功耗:1.5mAch(1 Mbps)

•低传播延时:<15 ns

•工作温度:-40℃~125℃

•符合 RoHS 标准封装:

  SOIC-8 窄体

  SOIC-16 宽体

•安全认证

  UL 认证：UL1577，3750 / 5000 Vrms， 1 分钟

  符合 GB4943.1-2011 CQC 认证

  CSA 组件，5A

  DIN VDE V 0884-11:2017-01

功能框图
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产品规格书下载
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