CMT8601C-N代替 UCC21736QDWRQ1 具有主动保护和高cmti的SiC/IGBT源汇增强隔离单通道栅极驱动器
UCC21736QDWRQ1
产品参数展示
•5.7 kvrms单通道隔离栅驱动器
•AEC-Q100符合汽车应用要求
•SiCMOSFETs 和igbt高达2121vpk
•33 v最大输出驱动电压(VDD-VEE)
•±10-A驱动强度和分裂输出
•150-V/ns最小CMTI
•270-ns响应时间快速过流保护
•外部主动铣床夹具
•发生故障时900ma软关断
•在系统故障时,将asic置于隔离侧以打开电源开关
•过电流报警FLT,从RST/EN复位
•快速启动/关闭响应的RST/EN
•在输入引脚上抑制<40 ns的瞬态噪声和脉冲
•12vvdduvlo - 3v v UVLO,电源在RDY上良好
•输入/输出过/欠射瞬态电压抗扰度高达5v
•130-ns(最大)传播延迟和30-ns(最大)脉冲/部分倾斜
•SOIC-16 DW封装,爬电和间隙距离> 8mm
•工作结温度- 40°C至150°C
CMT8601C-N
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功能框图
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