CMT8602A-N代替ISO5451DWR, 具有主动保护功能的高cmti 2.5 a和5 a隔离IGBT, MOSFET栅极驱动器
ISO5451DWR
产品参数展示
•VCM=1500 V时,最小50 kV/μs和典型共模瞬态抗扰度(CMTI)为100 kV/μ
•2.5A峰值源电流和5-A峰值汇电流
•短传播延迟:76 ns(典型),110 ns(最大)
•2-A有源米勒夹
•输出短路钳位
•在FLT上发出去饱和检测时的故障警报,并通过RST复位
•带就绪(RDY)引脚指示的输入和输出欠压锁定(UVLO)
•有源输出下拉和具有低电源或浮动输入的默认低输出
•3V至5.5V输入电源电压
•15-V至30-V输出驱动器电源电压
•CMOS兼容输入
•抑制短于20 ns的输入脉冲和噪声瞬态
•工作温度:-40°C至+125°C环境温度
•隔离浪涌耐受电压10000-VPK
CMT8602A-N
产品参数展示
通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
宽温度范围:-40℃~ 125℃
4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
VCCI工作范围3V至5.5V,可连接数字和模拟控制器
CMTI大于150kv /us
隔离层寿命> 40年
TLL和CMOS兼容输入
高达30V VDD输出驱动电源
- 9V和13V VDD UVLO选项
开关参数:
典型的传播延迟为40ns
最小脉冲宽度为25ns
最大延迟匹配5ns
最大脉冲宽度失真为9ns
可编程重叠和死区时间
抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns
快速禁用电源顺序
安全认证:
8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01
5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟
CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证
GB4943.1-2011 CQC认证(计划)
适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装
功能框图
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