CMT8601C-N代替UCC21739QDWRQ1 汽车10A源/汇隔离单通道栅极驱动器,用于SiC/IGBT,具有主动保护,隔离模拟传感和高cmti
UCC21739QDWRQ1
产品参数展示
•3kVRMS单通道隔离栅极驱动器
•AEC-Q100具备汽车应用资格
–设备温度等级1:-40°C至+125°C环境工作温度范围
–设备HBM ESD分类等级3A
–装置CDM ESD分类等级C3
•高达900Vpk的SiC MOSFET和IGBT
•33V最大输出驱动电压(VDD-VEE)
•±10A驱动强度和分流输出
•最小CMTI为150V/ns
•270ns响应时间快速过电流保护
•外部活动米勒夹具
•发生故障时内部2级关闭
•带PWM输出的隔离模拟传感器
–使用NTC、PTC或热二极管进行温度传感
–高压直流链路或相电压
•过电流报警FLT,并从RST/EN复位
•RST/EN上的快速启用/禁用响应
•抑制输入引脚上<40ns的噪声瞬态和脉冲
•12V VDD UVLO,RDY电源良好
•具有过/欠拍瞬态电压的输入/输出抗扰度高达5V
•130ns(最大值)传播延迟和30ns(最大)脉冲/部分偏斜
•SOIC-16 DW封装,爬电距离和间隙距离>8mm
•工作结温度–40°C至150°C
•安全相关认证:
–4242VPK隔离符合DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17)
CMT8601C-N
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功能框图
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