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CMT8602C-N代替Si823H2AB-IM1,具有低传播延迟和高暂态抗扰度的对称驱动隔离器

Si823H2AB-IM1
产品参数展示

•单个或两个隔离的驱动程序在一个包中

•高达5 kVRMS隔离

•高达1500 VDC峰值驱动器到驱动器的差分电压

•EN引脚增强安全性或DIS引脚选项

•PWM和双驱动版本

•4.0 A汇/源峰值输出

•高电磁抗扰度

•最大传播延迟30 ns

•瞬态抗扰度:>125 kV/µs

•可编程死区时间:20 - 200 ns

•去glitch选项过滤噪声

•宽温度范围:-40至+125°C

•符合rohs标准的包装

•wb social -14

•DFN-14

•SSO-8

•AEC-Q100认证

•汽车级opn可用

•符合aiag的PPAP文档支持

•IMDS和CAMDS上市支持

CMT8602C-N
产品参数展示

通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器

宽温度范围:-40℃~ 125℃

4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出

VCCI工作范围3V至5.5V,可连接数字和模拟控制器

CMTI大于150kv /us

隔离层寿命> 40年

TLL和CMOS兼容输入

高达30V VDD输出驱动电源

- 9V和13V VDD UVLO选项

开关参数:

典型的传播延迟为40ns

最小脉冲宽度为25ns

最大延迟匹配5ns

最大脉冲宽度失真为9ns

可编程重叠和死区时间

抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns

快速禁用电源顺序

安全认证:

8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01

5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟

CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证

GB4943.1-2011 CQC认证(计划)

适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装


功能框图
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