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CMT8601C-N代替 1ED3142MU12F 具有单独输出的单通道3kv (rms)隔离栅驱动器IC
1ED3142MU12F
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•单通道隔离栅驱动器

•用于600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V igbt, Si和SiC mosfet

•高达6.5 A的典型峰值输出电流

•45 ns传播延迟与7 ns部分到部分匹配(倾斜)

•35v绝对最大输出电源电压

•高共模暂态抗扰度CMTI > 300 kV/µs

•独立的源和汇输出与主动关闭和短路箝位

•电隔离无芯变压器栅极驱动器

•3.3 V和5v输入电源电压

•适用于高环境温度和快速开关应用

•UL 1577认证VISO = 3.0 kV (rms) 1分钟

CMT8601C-N
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隔离的单通道驱动器

驱动侧供电电压:带UVLO，最高可达32V

引脚兼容，滴入升级的光隔离栅极驱动器

输出电流为4A峰值源和6A汇聚

高CMTI:±150kv /us

典型传播延迟75ns

最大脉冲宽度失真30ns

操作温度:- 40°C至125°C

无铅组件，适用于无铅焊接规格:260°C, MSL3

通过SOW6、SOP8、DUB8认证

安全认证

•din vde v 0884- 11:2017 -01

UL识别:在SOW6中，1分钟内最高可达5700 Vrms;在DUB8中，1分钟内最多支持5000个vrm

•CSA组件通知5A

符合GB4943.1-2011的CQC认证

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