CMT8602B-K替代Si82520BD-IS3 低传播延迟和高瞬态抗扰度的对称栅极驱动器-推荐产品-鼎联微电子(上海)有限公司 CMT8602B-K替代Si82520BD-IS3 低传播延迟和高瞬态抗扰度的对称栅极驱动器
Si82520BD-IS3
产品参数展示
•一个包中有两个独立的驱动程序
•高达5 kVRMS隔离
•高达1500 VDC峰值驱动器到驱动器的差分电压
•EN引脚增强安全性或DIS引脚选项
•扩展VDDIH
•4.5 v - 20 v
•4.0 A汇/源峰值输出
•高电磁抗扰度
•最大传播延迟30 ns
•瞬态抗扰度:>125 kV/µs
•可编程死区时间
•40-600 ns
•工作范围广
•-40至+125°C
CMT8602B-K
产品参数展示
通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
宽温度范围:-40℃~ 125℃
4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
VCCI工作范围3V至5.5V，可连接数字和模拟控制器
CMTI大于150kv /us
隔离层寿命> 40年
TLL和CMOS兼容输入
高达30V VDD输出驱动电源
- 9V和13V VDD UVLO选项
开关参数:
典型的传播延迟为40ns
最小脉冲宽度为25ns
最大延迟匹配5ns
最大脉冲宽度失真为9ns
可编程重叠和死区时间
抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns
快速禁用电源顺序
安全认证:
8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01
5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟
CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证
GB4943.1-2011 CQC认证(计划)
适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装
功能框图
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产品规格书下载
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