CMT8602C-W替代2ED3145MC12L 具有死区时间控制的双通道隔离栅驱动IC
2ED3145MC12L
产品参数展示
•双通道隔离栅极驱动器
•用于600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V igbt, Si和SiC mosfet
•高达6.5 A的典型峰值输出电流
•40 ns传播延迟与6 ns信道间延迟不匹配(倾斜)
•35v绝对最大输出电源电压
•高共模暂态抗扰度CMTI > 200kv /µs
•主动关闭和短路夹紧
•电隔离无芯变压器栅极驱动器
•3.3 V和5v输入电源电压
•8mm输入到输出和3.3 mm通道到通道爬电和间隙
•安全认证
- UL 1577(待定),VISO,测试= 6840 V(有效值)1秒,VISO = 5700 V(有效值)60秒
-增强绝缘符合IEC 60747-17(计划),VIORM = 1767 V(峰值)
CMT8602C-W
产品参数展示
通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
宽温度范围:-40℃~ 125℃
4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
VCCI工作范围3V至5.5V,可连接数字和模拟控制器
CMTI大于150kv /us
隔离层寿命> 40年
TLL和CMOS兼容输入
高达30V VDD输出驱动电源
- 9V和13V VDD UVLO选项
开关参数:
典型的传播延迟为40ns
最小脉冲宽度为25ns
最大延迟匹配5ns
最大脉冲宽度失真为9ns
可编程重叠和死区时间
抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns
快速禁用电源顺序
安全认证:
8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01
5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟
CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证
GB4943.1-2011 CQC认证(计划)
适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装
功能框图
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