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CMT8602C-W替代2ED3145MC12L 具有死区时间控制的双通道隔离栅驱动IC

2ED3145MC12L
产品参数展示

•双通道隔离栅极驱动器

•用于600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V igbt, Si和SiC mosfet

•高达6.5 A的典型峰值输出电流

•40 ns传播延迟与6 ns信道间延迟不匹配(倾斜)

•35v绝对最大输出电源电压

•高共模暂态抗扰度CMTI > 200kv /µs

•主动关闭和短路夹紧

•电隔离无芯变压器栅极驱动器

•3.3 V和5v输入电源电压

•8mm输入到输出和3.3 mm通道到通道爬电和间隙

•安全认证

- UL 1577(待定),VISO,测试= 6840 V(有效值)1秒,VISO = 5700 V(有效值)60秒

-增强绝缘符合IEC 60747-17(计划),VIORM = 1767 V(峰值)

CMT8602C-W
产品参数展示

通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器

宽温度范围:-40℃~ 125℃

4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出

VCCI工作范围3V至5.5V,可连接数字和模拟控制器

CMTI大于150kv /us

隔离层寿命> 40年

TLL和CMOS兼容输入

高达30V VDD输出驱动电源

- 9V和13V VDD UVLO选项

开关参数:

典型的传播延迟为40ns

最小脉冲宽度为25ns

最大延迟匹配5ns

最大脉冲宽度失真为9ns

可编程重叠和死区时间

抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns

快速禁用电源顺序

安全认证:

8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01

5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟

CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证

GB4943.1-2011 CQC认证(计划)

适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装

功能框图
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