CMT8602C-W替代2EDS9265H 增强隔离型双通道MOSFET栅极驱动器-推荐产品-鼎联微电子(上海)有限公司 CMT8602C-W替代2EDS9265H 增强隔离型双通道MOSFET栅极驱动器
2EDS9265H
产品参数展示
•4 A / 8 A或1 A / 2 A源/汇输出电流
•高达10 MHz PWM开关频率
•PWM信号传播延迟类型。37 ns
- 3 ns通道间不匹配
- +7/- 6ns传播延迟方差
•共模暂态抗扰度CMTI > 150v /ns
•在输入侧欠压锁定(UVLO)的情况下快速安全关断
•输出电源电压从4.5 V到20v与4v或8v UVLO阈值
•宽工作温度范围TJ = -40°C至+150°C
•符合RoHS标准的宽/窄体(WB/NB) DSO16和5mm x 5mm LGA封装
•完全符合JEDEC工业应用标准
CMT8602C-W
产品参数展示
通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
宽温度范围:-40℃~ 125℃
4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
VCCI工作范围3V至5.5V，可连接数字和模拟控制器
CMTI大于150kv /us
隔离层寿命> 40年
TLL和CMOS兼容输入
高达30V VDD输出驱动电源
- 9V和13V VDD UVLO选项
开关参数:
典型的传播延迟为40ns
最小脉冲宽度为25ns
最大延迟匹配5ns
最大脉冲宽度失真为9ns
可编程重叠和死区时间
抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns
快速禁用电源顺序
安全认证:
8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01
5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟
CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证
GB4943.1-2011 CQC认证(计划)
适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装
功能框图
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