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CMT8602B-N替代Si82E29ABC-IS1 6 A驱动器,双通道和低通道对通道倾斜

Si82E29ABC-IS1
产品参数展示

•宽输入范围3 - 20v

•宽栅极供电电压5 - 30v

•CMOS输入与可选的去glitch滤波器

•通道对通道的倾斜< 5 ns

•死区时间控制和重叠保护

•通用和高侧/低侧引脚

•电压模式驱动

•单极或双极输出电压

•CMTI > 200kv /µs

•1500 VRMS工作电压

•优化了4、8、12和15 V的UVLOs

•4 kV HBM ESD等级

•无未知输出状态

•增加通道间爬电

•6 kVRMS安全额定隔离

•10千伏双极浪涌

•宽温度范围:-40至125°C

•窄体,16针SOIC和宽体,14针SOIC包

•AEC-Q100认证

•汽车级opn可用

CMT8602B-N
产品参数展示

通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器

宽温度范围:-40℃~ 125℃

4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出

VCCI工作范围3V至5.5V,可连接数字和模拟控制器

CMTI大于150kv /us

隔离层寿命> 40年

TLL和CMOS兼容输入

高达30V VDD输出驱动电源

- 9V和13V VDD UVLO选项

开关参数:

典型的传播延迟为40ns

最小脉冲宽度为25ns

最大延迟匹配5ns

最大脉冲宽度失真为9ns

可编程重叠和死区时间

抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns

快速禁用电源顺序

安全认证:

8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01

5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟

CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证

GB4943.1-2011 CQC认证(计划)

适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装

功能框图
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