CMT8602B-K替代Si82E29ABE-IS3 有6 A驱动器,双通道和低通道对通道倾斜
Si82E29ABE-IS3
产品参数展示
•宽输入范围3 - 20v
•宽栅极供电电压5 - 30v
•CMOS输入与可选的去glitch滤波器
•通道对通道的倾斜< 5 ns
•死区时间控制和重叠保护
•通用和高侧/低侧引脚
•电压模式驱动
•单极或双极输出电压
•CMTI > 200kv /µs
•1500 VRMS工作电压
•优化了4、8、12和15 V的UVLOs
•4 kV HBM ESD等级
•无未知输出状态
•增加通道间爬电
•6 kVRMS安全额定隔离
•10千伏双极浪涌
•宽温度范围:-40至125°C
•窄体,16针SOIC和宽体,14针SOIC包
•AEC-Q100认证
•汽车级opn可用
CMT8602B-K
产品参数展示
通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
宽温度范围:-40℃~ 125℃
4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
VCCI工作范围3V至5.5V,可连接数字和模拟控制器
CMTI大于150kv /us
隔离层寿命> 40年
TLL和CMOS兼容输入
高达30V VDD输出驱动电源
- 9V和13V VDD UVLO选项
开关参数:
典型的传播延迟为40ns
最小脉冲宽度为25ns
最大延迟匹配5ns
最大脉冲宽度失真为9ns
可编程重叠和死区时间
抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns
快速禁用电源顺序
安全认证:
8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01
5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟
CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证
GB4943.1-2011 CQC认证(计划)
适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装
功能框图
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产品规格书下载
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