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CMT8120N1替代2DIB0401F 适用于工业应用的基本双通道数字隔离器

2DIB0401F
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•数据速率高达40 Mbps

•宽工作电源电压2.7 V至6.5 V

•低电流消耗(最大1.65 mA/ch @ 1 Mbps, 3.3 V, 15 pF)

•高CMTI: 100 kV/µs (min)

•传播延迟:26 ns(类型)与3 ns(最大)通道到通道的不匹配

•最大脉冲宽度失真3ns

•故障安全默认输出高(2DIBx401F)或低(2DIBx400F)选项

•可变输入阈值(CMOS)

宽环境工作温度范围(-40°C至+125°C)

符合rohs标准的PG-DSO-8窄体150mil封装

CMT8120N1
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• 安全相关认证

  DIN VDE V 0884-11: 2017-01

  符合 UL 1577 组件认证

  CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准

  符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

  符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。

•增强电磁兼容性(EMC)

  系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性

  ±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护

  低辐射

• 数据率:DC 至 150 Mbps

• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V

• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C

• 稳健可靠的隔离栅:

  可实现 40 年以上的预期使用寿命

  高达 5 kVRMS 隔离额定值

  高达 8 kV 浪涌能力

  ±200 kV/μs 典型 CMTI

• 默认输出高电平和低电平选项

• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA

• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)

• SOIC -16 封装(宽体),WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8(窄体)

功能框图
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