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CMT8100N替代ADuM1252 超低功耗,双向I2C隔离器扩展VDD,空闲总线热插拔和低VOL

ADuM1252
产品参数展示

•低VOL(MAX),提高I2C设备兼容性

•第1侧:0.69V

•第2侧:0.4V

•超低功耗,延长电池寿命

•400kHz时每个通道142μA(典型值)

•宽的独立VDD1/VDD2电源范围支持更多的逻辑电压电平并允许电平移位

•两侧1.71V至5.5V

•增强的热插拔侧2 I/O

•初始2侧连接发生在总线空闲或停止状态,以防止数据损坏

•双向I2C数据传输,最高可达2MHz SCL

•用于高级总线拓扑的双向SCL

•支持时钟拉伸和跨隔离屏障的多个控制器

•强大的电流吸收使RPULL-UP值更低,从而实现更快的总线速度

•侧面1:5mA

•第2面:50mA

•数字信号的稳健电流隔离

•连续耐受(VIOWM)-8-窄SOIC:445VRMS

•根据IEC 61000-4-5,耐受±10kV浪涌

•爬电和间隙-8-窄SOIC:4mm

•安全和监管批准(待定)

•IEC60747-17(待定)-加固VIORM窄SOIC:630VPEAK

•UL 1577(待定)-8-窄SOIC:3000VRMS,持续1min

•IEC/EN/CSA 62368-1(待定)

•IEC/EN/CSA 61010-1(待定)

•CAN/CSA-C22.2编号14-18(待定)

CMT8100N
产品参数展示

•高达 3750/5000 Vrms 的绝缘电压

•I2C 时钟速率:高达2MHZ

•电源电压:2.5V至5.5V

•高CMTI: 150 kV/us

•芯片级 ESD:HBM,±8 kV

•高系统级 EMC 性能:

•增强的系统级 ESD、EFT、浪涌能力

•隔离栅寿命:>40年

•低功耗:1.5mAch(1 Mbps)

•低传播延时:<15 ns

•工作温度:-40℃~125℃

•符合 RoHS 标准封装:

  SOIC-8 窄体

  SOIC-16 宽体

•安全认证

  UL 认证:UL1577,3750 / 5000 Vrms, 1 分钟

  符合 GB4943.1-2011 CQC 认证

  CSA 组件,5A

  DIN VDE V 0884-11:2017-01

功能框图
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