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CMT8602A-N代替ISO5451DWR, 具有主动保护功能的高cmti 2.5 a和5 a隔离IGBT, MOSFET栅极驱动器

ISO5451DWR
产品参数展示

•VCM=1500 V时,最小50 kV/μs和典型共模瞬态抗扰度(CMTI)为100 kV/μ

•2.5A峰值源电流和5-A峰值汇电流

•短传播延迟:76 ns(典型),110 ns(最大)

•2-A有源米勒夹

•输出短路钳位

•在FLT上发出去饱和检测时的故障警报,并通过RST复位

•带就绪(RDY)引脚指示的输入和输出欠压锁定(UVLO)

•有源输出下拉和具有低电源或浮动输入的默认低输出

•3V至5.5V输入电源电压

•15-V至30-V输出驱动器电源电压

•CMOS兼容输入

•抑制短于20 ns的输入脉冲和噪声瞬态

•工作温度:-40°C至+125°C环境温度

•隔离浪涌耐受电压10000-VPK

CMT8602A-N
产品参数展示

通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器

宽温度范围:-40℃~ 125℃

4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出

VCCI工作范围3V至5.5V,可连接数字和模拟控制器

CMTI大于150kv /us

隔离层寿命> 40年

TLL和CMOS兼容输入

高达30V VDD输出驱动电源

- 9V和13V VDD UVLO选项

开关参数:

典型的传播延迟为40ns

最小脉冲宽度为25ns

最大延迟匹配5ns

最大脉冲宽度失真为9ns

可编程重叠和死区时间

抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns

快速禁用电源顺序

安全认证:

8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01

5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟

CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证

GB4943.1-2011 CQC认证(计划)

适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装

功能框图
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