CMT8601C-N代替ISO5452QDWRQ1,高cmti 2.5 a和5 a隔离IGBT, MOSFET栅极驱动器，分路输出和主动保护功能--鼎联微电子(上海)有限公司

•具备汽车应用资格

•AEC-Q100合格，结果如下：

–设备温度等级1：-40°C至+125°C环境工作温度

范围

–设备HBM分类等级3A

–设备CDM分类等级C6

•VCM=1500 V时，最小50 kV/μs和典型共模瞬态抗扰度（CMTI）为100 kV/μ

•分流输出，提供2.5A峰值源电流和5-A峰值汇电流

•短传播延迟：76 ns（典型），110 ns（最大）

•2-A有源米勒夹

•输出短路钳位

•短路期间的软关闭（STO）

•在FLT上发出去饱和检测时的故障警报，并通过RST复位

•输入和输出欠压锁定（UVLO），带就绪（RDY）引脚指示

•有源输出下拉和具有低电源或浮动输入的默认低输出

•2.25V至5.5V输入电源电压

•15-V至30-V输出驱动器电源电压

•CMOS兼容输入

•抑制短于20 ns的输入脉冲和噪声瞬态

•隔离浪涌耐受电压10000-VPK

•安全相关认证：

–8000-VPK VIOTM和1420-VPK VIORM加强隔离，符合DIN V VDE V 0884-10（VDE V 10884-10）：2006-12

–根据UL 1577，5700-RMS隔离1分钟

–CSA部件验收通知5A、IEC 60950–1和IEC 60601–1终端设备标准

-TUV认证符合EN 61010-1和EN 60950-1

–GB4943.1-2011 CQC认证

–完成所有认证