CMT8121N0替代ISO6521FDR,通用双通道功能隔离器--鼎联微电子(上海)有限公司•双通道，CMOS输出功能隔离器
•50Mbps数据速率
•坚固的SiO2隔离屏障，±150kV/μs
典型CMTI
•功能隔离(8-REU):
- 200VRMS，工作电压280VDC
- 570VRMS, 800VDC瞬态电压(60s)
•功能隔离(8-D):
- 450VRMS, 637VDC工作电压
- 707VRMS, 1000VDC瞬态电压(60s)
•可在一个紧凑的8-REU包装>2.2mm爬电
•宽电源范围:1.71V至1.89V和2.25V至5.5V
•1.71V到5.5V电平转换
•默认输出高(ISO652x)和低(ISO652xF)选项
•宽温度范围:-40°C至125°C
•每通道1.8mA，在3.3V时典型的1Mbps
•低传播延迟:在3.3V时典型11ns
•强大的电磁兼容性(EMC) -系统级ESD, EFT和浪涌抗扰度-超低发射
•无铅dfn (8-REU)封装和窄SOIC (8-D)封装选项
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证，符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率：DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围：2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围：-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅：
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗，1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟：典型值为 9 ns（由 5V 电源供电）
• SOIC -16 封装（宽体），WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8（窄体)
