CMT8121N0完美替代ISO7721FDR，EMC 性能优异的双通道、1/1、增强型数字隔离器--鼎联微电子(上海)有限公司100Mbps 数据速率
稳健可靠的隔离栅：
在 1.5 kV RMS 工作电压下预计寿命超过 100 年
隔离等级高达 5000V RMS
浪涌能力高达 12.8kV
CMTI 典型值为 ±100kV/µs
宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
2.25V 至 5.5V 电平转换
默认输出 高电平 (ISO772x) 和 低电平 (ISO772xF) 选项
宽温度范围：–55°C 至 +125°C
低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
低传播延迟：11ns（典型值）
优异的电磁兼容性 (EMC)
系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
低干扰 (EMI)
宽体 SOIC（DW-16 、DWV-8）和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
提供汽车版本： ISO772x-Q1
安全相关认证
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
UL 1577 组件认证计划
IEC 61010-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证，符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率：DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围：2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围：-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅：
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗，1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟：典型值为 9 ns（由 5V 电源供电）
• SOIC -16 封装（宽体），WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8（窄体)
