CMT8601B-N代替 NCD5707A 高电流IGBT/MOSFET栅极驱动器--鼎联微电子(上海)有限公司

CMT8601B-N代替 NCD5707A 高电流IGBT/MOSFET栅极驱动器

NCD5707A

产品参数展示

高电流输出(+4/−6 A)在IGBT/MOSFET米勒高原电压

•低输出阻抗增强IGBT/MOSFET驱动

•传播延迟短，匹配准确

•直接接口到数字隔离器/光电耦合器/脉冲变压器隔离驱动，逻辑兼容性非隔离驱动

•设计AEC−Q100认证(NCV5707y)

•DESAT保护与可编程延迟

•IGBT短路时软关断

•严格的UVLO阈值偏置灵活性

•宽偏置电压范围

•本设备不含铅、不含卤素，符合RoHS标准

CMT8601B-N

产品参数展示

隔离的单通道驱动器

驱动侧供电电压:带UVLO，最高可达32V

引脚兼容，滴入升级的光隔离栅极驱动器

输出电流为4A峰值源和6A汇聚

高CMTI:±150kv /us

典型传播延迟75ns

最大脉冲宽度失真30ns

操作温度:- 40°C至125°C

无铅组件，适用于无铅焊接规格:260°C, MSL3

通过SOW6、SOP8、DUB8认证

安全认证

•din vde v 0884- 11:2017 -01

UL识别:在SOW6中，1分钟内最高可达5700 Vrms;在DUB8中，1分钟内最多支持5000个vrm

•CSA组件通知5A

符合GB4943.1-2011的CQC认证

功能框图

资料完善中

产品规格书下载

NCD5707A.pdf

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