CMT8601B-N代替 NCD5707B 高电流IGBT/MOSFET栅极驱动器--鼎联微电子(上海)有限公司

高电流输出(+4/−6 A)在IGBT/MOSFET米勒高原电压

•低输出阻抗增强IGBT/MOSFET驱动

•传播延迟短，匹配准确

•直接接口到数字隔离器/光电耦合器/脉冲变压器隔离驱动，逻辑兼容性非隔离驱动

•设计AEC−Q100认证(NCV5707y)

•DESAT保护与可编程延迟

•IGBT短路时软关断

•严格的UVLO阈值偏置灵活性

•宽偏置电压范围

•本设备不含铅、不含卤素，符合RoHS标准