CMT8601C-N代替NCD57081BDR2G,隔离型高电流IGBT/MOSFET栅极驱动器--鼎联微电子(上海)有限公司

•峰值输出电流(+6.5 A/−6.5 A)

•低钳位压降消除了需要负电源，以防止杂散门导通(版本A)

•短传播延迟与精确匹配

•短路时IGBT/MOSFET栅极箝位

•IGBT/MOSFET栅极主动下拉

•严格的UVLO阈值偏置灵活性

•宽偏置电压范围，包括负VEE2(版本B)

•3.3 V, 5v, 15v逻辑输入

•3.75 kVRMS VISO (I−O)(满足UL1577要求)

•安全和监管批准:

•UL1577认证，3750 VACRMS 1分钟

•DIN VDE V 0884−11认证待定，870 VPK工作绝缘电压

•高瞬态抗扰度

•高电磁抗扰度

•NCV前缀汽车和其他应用需要独特的站点和控制变化要求;AEC−Q100 Qualified and PPAP Capable

•这些设备不含铅，不含卤素/不含BFR，符合RoHS标准