超低功耗: 0.58mA/通道(1Mbps 时)
高速率: 10Mbps
高 CMTI 值:
π14xx3x:典型值 75kV/µs
π14xx6x:典型值 120kV/µs
对辐射和传导噪声的高抗干扰能力
低传输延时:典型值 9ns
隔离电压:
π14xx3x: 交流 3000Vrms
π14xx6x: 交流 5000Vrms
增强 ESD 防护能力:
ESDA/JEDEC JS-001-2017
HBM 模式±8kV
安规认证:
UL 认证编号: E494497
符合 UL1577 标准 3000V/5000VRMS 隔离电压
CSA 器件验收通知 5A
VDE 认证编号: 40053041/40052896
最大重复峰值隔离电压 565V/1200V,
符合 DIN VDE V 0884-11:2017-01
符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
3V 至 5.5V 电平转换
宽温度范围: -40℃~125℃
符合 RoHS 要求的 NB SOIC-16,WB SOI-16 和 SSOP16 封装
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率:高达150 Mbps
• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅:
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)
• SOIC16 封装 (宽体和窄体)