CMT8601C-N代替STGAP2GSCTR 一种用于增强模式GaN场效应管的单栅极驱动器--鼎联微电子(上海)有限公司

•高压导轨高达1200v

•驱动器电流能力:2 A / 3 A源/汇@25°C, VH = 6 V

•dV/dt暂态抗扰度±100 V/ns

•输入输出传播延迟:45 ns

•单独的汇和源选项，方便栅极驱动配置

•针对GaN优化的UVLO功能

•栅极驱动电压高达15v

•3.3 V, 5 V TTL/CMOS输入与迟滞

•温度关闭保护

•待机功能

•宽机身SO-8W封装