CMT8603C-N 替代Si8220DB-D-IS 0.5和2.5安培等驱动与光输入(2.5,3.75和5.0 kvrms)--鼎联微电子(上海)有限公司 CMT8603C-N 替代Si8220DB-D-IS 0.5和2.5安培等驱动与光输入(2.5,3.75和5.0 kvrms)
Si8220DB-D-IS
产品参数展示
对hcpl0302、hcpl3120、TLP350等光驱动进行功能升级
60ns传播延迟最大值(与输入驱动电流无关)
与光驱动器相比，更紧密的部分对部分匹配
kVRMS隔离
短暂免疫
30 kV /µs
带滞后的欠压闭锁保护
耐高温、耐老化
栅极驱动电源电压
6.5 V至24 V
获得AEC-Q100资格
操作范围广
-40至+125°C
符合rohs标准的软件包
型号:SOIC-8N
机身:SOIC-16W
CMT8603C-N
产品参数展示
隔离单通道驱动
驱动侧供电电压：36V UVLO
引脚兼容，升级的光耦隔离栅极驱动
4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
共模瞬态抗扰度 CMTI: ±150 Kv/us
75ns 典型延迟传播
30ns 最大脉宽失真
工作温度: - 40°C to 125°C
功能框图
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产品规格书下载
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