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CMT8601C-N代替 UCC21736QDWRQ1 具有主动保护和高cmti的SiC/IGBT源汇增强隔离单通道栅极驱动器

UCC21736QDWRQ1
产品参数展示

•5.7 kvrms单通道隔离栅驱动器

•AEC-Q100符合汽车应用要求

•SiCMOSFETs 和igbt高达2121vpk

•33 v最大输出驱动电压(VDD-VEE)

•±10-A驱动强度和分裂输出

•150-V/ns最小CMTI

•270-ns响应时间快速过流保护

•外部主动铣床夹具

•发生故障时900ma软关断

•在系统故障时,将asic置于隔离侧以打开电源开关

•过电流报警FLT,从RST/EN复位

•快速启动/关闭响应的RST/EN

•在输入引脚上抑制<40 ns的瞬态噪声和脉冲

•12vvdduvlo - 3v v UVLO,电源在RDY上良好

•输入/输出过/欠射瞬态电压抗扰度高达5v

•130-ns(最大)传播延迟和30-ns(最大)脉冲/部分倾斜

•SOIC-16 DW封装,爬电和间隙距离> 8mm

•工作结温度- 40°C至150°C

CMT8601C-N
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