CMT8602C-N代替 UCC21755QDWRQ1，10-A源/汇增强隔离单通道栅极驱动器，用于SiC/IGBT，具有主动保护，隔离模拟传感和高cmti--鼎联微电子(上海)有限公司

•5.7 kvrms单通道隔离栅驱动器

•AEC-Q100具备汽车应用资格

–设备温度等级1：-40°C至+125°C环境工作温度范围

–设备HBM ESD分类等级3A

–装置CDM ESD分类等级C3

•驱动SiC mosfet和igbt高达2121Vpk

•33 v最大输出驱动电压(VDD-VEE)

•±10-A驱动强度和分裂输出

•150-V/ns最小CMTI

•4-A内部主动米勒钳

•400毫安软关断故障条件下

•隔离的模拟传感器与PWM输出

-温度传感与NTC, PTC或热二极管

-高压直流或相电压

•过电流报警FLT，从RST/EN复位

•快速启动/关闭响应的RST/EN

•抑制输入引脚上<40-ns的瞬态噪声和脉冲

•12v VDD UVLO与电源良好的RDY

•输入/输出过/欠射瞬态电压抗扰度高达5v

•130-ns(最大)传播延迟和30-ns(最大)脉冲/部分倾斜

•SOIC-16 DW封装，爬电和间隙距离> 8mm

•工作结温-40°C至150°C

•安全相关认证:

-符合DIN EN IEC的增强绝缘60747 - 17 (VDE 0884 - 17)

- UL 1577元件识别程序