CMT8602C-N代替UCC21756QDWRQ1 增强隔离单沟道栅极驱动器--鼎联微电子(上海)有限公司

•5.7kVRMS单通道隔离栅极驱动器

•AEC-Q100合格，结果如下：

–设备温度等级1：-40°C至+125°C环境工作温度范围

•功能安全质量管理

–可用于辅助功能安全系统设计的文件

•高达2121Vpk的SiC MOSFET和IGBT

•33V最大输出驱动电压（VDD-VEE）

•±10A驱动强度和分流输出

•最小CMTI为150V/ns

•具有5V阈值的200ns响应时间快速DESAT保护

•4A内部有源米勒夹

•发生故障时，900mA软关闭

•带PWM输出的隔离模拟传感器

–使用NTC、PTC或热敏二极管进行温度传感

–高压直流链路或相电压

•过电流报警FLT，并从RST/EN复位

•RST/EN上的快速启用/禁用响应

•抑制输入引脚上<40ns的噪声瞬态和脉冲

•12V VDD UVLO，RDY电源良好

•具有高达5V的过冲或欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出

•130ns（最大值）传播延迟和30ns（最大）脉冲/部分偏斜

•SOIC-16 DW封装，爬电距离和间隙距离>8mm

•工作结温度–40°C至150°C