CMT8120N1替代ADuM121N1BRZ . 3.0 kV rms双通道数字隔离器--鼎联微电子(上海)有限公司高共模瞬变抗扰度：100 kV/μs（典型值）
对辐射和传导噪声的高抗干扰能力
低传播延迟
13 ns（最大值，5 V）
15 ns（最大值，1.8 V）
数据速率：150 Mbps（最小值）
向后兼容性
ADuM120N0与ADuM1285引脚兼容
ADuM120N1与ADuM1280和ADuM1200引脚兼容
ADuM121N0与ADuM1286引脚兼容
ADuM121N1与ADuM1281和ADuM1201引脚兼容
低动态功耗
1.8 V至5 V电平转换
工作温度最高可达：125°C
故障安全高或低选项
8引脚SOIC封装，符合RoHS标准
通过汽车应用认证
安全和法规认证
UL认证：1分钟3000 V rms，符合UL 1577
CSA元件验收通知5A
VDE合格证书
DIN VDE V 0884-11:2017-01
VIORM = 565 V 峰值
CQC认证符合GB4943.1-2011
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证，符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率：DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围：2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围：-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅：
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗，1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟：典型值为 9 ns（由 5V 电源供电）
• SOIC -16 封装（宽体），WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8（窄体)
