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CMT8121W0完美替代ISO7721FDWV,EMC 性能优异的双通道、1/1、增强型数字隔离器

ISO7721FDWV
产品参数展示

-隔离耐压3750Vrms, 5000Vrms, 8000Vrms

-VDE增强型隔离认证

-数据速率DC至150Mbps

-高CMTI:200kV/μs

-芯片级ESD:  HBM: ±8kV

-增强的系统级ESD 、EFT、抗浪涌能力

-隔离栅寿命:>60年

-低传播延迟典型值<15ns

-低功耗: 1.5mA/ch (1 Mbps)

-工作温度:-55~125℃

-符合RoHS的封装:SOP8, SOW8,SOW16, SOWW16

- UL1577认证: 1分钟 3.75kVrms/5kVrms/8kVrms

- CQC认证:符合GB4943.1-2011

- CSA认证:组件符合5A

-VDE认证:DIN V VDE V 0884-11:2017-1

CMT8121W0
产品参数展示

• 安全相关认证

  DIN VDE V 0884-11: 2017-01

  符合 UL 1577 组件认证

  CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准

  符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

  符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。

•增强电磁兼容性(EMC)

  系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性

  ±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护

  低辐射

• 数据率:DC 至 150 Mbps

• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V

• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C

• 稳健可靠的隔离栅:

  可实现 40 年以上的预期使用寿命

  高达 5 kVRMS 隔离额定值

  高达 8 kV 浪涌能力

  ±200 kV/μs 典型 CMTI

• 默认输出高电平和低电平选项

• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA

• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)

• SOIC -16 封装(宽体),WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8(窄体)

功能框图
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