CMT8120N0替代Si8620BC-B-IS . 低功耗，双通道数字隔离器--鼎联微电子(上海)有限公司•高速运行
—DC为150mbps
•无需启动初始化
•宽工作电源电压 2.5-5.5 v
•最多5000个VRMS隔离
•增强VDE 0884-10, 10 kV浪涌能力(Si862xxT)
•在额定工作电压下可使用60年
•高电磁抗扰度
•超低功耗(典型)
- 5v运行
-每通道1.6 mA, 1mbps
-每通道5.5 mA, 100mbps
- 2.5 V运行
-每通道1.5 mA，速度为1mbps
-每通道3.5 mA, 100mbps
•施密特触发输入
•可选择的故障安全模式
-默认高输出或低输出(排序选项)
•精确定时(典型)
- 10ns传播延迟
- 1.5 ns脉冲宽度失真
- 0.5 ns通道-通道倾斜
- 2ns传播延迟倾斜
-最小脉冲宽度5ns
•暂态抗扰度50 kV/µs
•AEC-Q100认证
•宽温度范围40至125°C
•符合RoHS标准的包装
- WB SOIC-16
- SOIC-8
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证，符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率：DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围：2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围：-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅：
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗，1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟：典型值为 9 ns（由 5V 电源供电）
• SOIC -16 封装（宽体），WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8（窄体)
