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CMT8121N1替代Si86S621HC-IS,双通道数字隔离器

Si86S621HC-IS
产品参数展示

高速操作:直流至150 Mbps

无需启动初始化

宽电源电压:2.25至5.5 V

多达6000吸血鬼隔离

增强lEC 60747-17等级

高电磁抗扰度

施密特触发器+CMOS阈值输入

可选择的故障保护模式:默认高或低输出(订购选项)

精确计时(典型)

-10ns传播延迟

-3.5 ns脉冲宽度失真100 kV/us的瞬态功率(min)

AEC-Q100资质

温度范围广

-40至+125°C

符合RoHS的包装

-NB SOIC-8

-SS0-8

提供汽车级OPN

AlAG合规PPAP文件支持

lMDS和CAMD列表支持

CMT8121N1
产品参数展示

• 安全相关认证

  DIN VDE V 0884-11: 2017-01

  符合 UL 1577 组件认证

  CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准

  符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

  符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。

•增强电磁兼容性(EMC)

  系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性

  ±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护

  低辐射

• 数据率:DC 至 150 Mbps

• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V

• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C

• 稳健可靠的隔离栅:

  可实现 40 年以上的预期使用寿命

  高达 5 kVRMS 隔离额定值

  高达 8 kV 浪涌能力

  ±200 kV/μs 典型 CMTI

• 默认输出高电平和低电平选项

• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA

• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)

• SOIC -16 封装(宽体),WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8(窄体)

功能框图
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