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CMT8121W1M替代ISO7821DW,高隔离额定值、双通道、1/1、增强型数字隔离器

ISO7821DW
产品参数展示

信令速率:高达 100Mbps

宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V

2.25V 至 5.5V 电平转换

宽温度范围:-55°C 至 125°C

低功耗,每通道电流典型值为 1.8mA(1Mbps 时)

低传播延迟:典型值为 11ns (5V 电源)

卓越的 CMTI(下限值):±100kV/µs

优异的电磁兼容性 (EMC)

系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性

低辐射

隔离栅寿命:> 25 年

SOIC-16 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装选项

安全和监管批准:

8000VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12

符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离

CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准

符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证

符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证

已完成所有 DW 封装认证;已完成符合 UL、VDE 标准的 DWW 封装认证,并已针对 VDE、CSA 和 CQC 进行规划

CMT8121W1M
产品参数展示

• 安全相关认证

  DIN VDE V 0884-11: 2017-01

  符合 UL 1577 组件认证

  CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准

  符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

  符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。

•增强电磁兼容性(EMC)

  系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性

  ±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护

  低辐射

• 数据率:DC 至 150 Mbps

• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V

• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C

• 稳健可靠的隔离栅:

  可实现 40 年以上的预期使用寿命

  高达 5 kVRMS 隔离额定值

  高达 8 kV 浪涌能力

  ±200 kV/μs 典型 CMTI

• 默认输出高电平和低电平选项

• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA

• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)

• SOIC -16 封装(宽体),WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8(窄体)

功能框图
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