信令速率:高达 100Mbps
宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
2.25V 至 5.5V 电平转换
宽温度范围:-55°C 至 125°C
低功耗,每通道电流典型值为 1.8mA(1Mbps 时)
低传播延迟:典型值为 11ns (5V 电源)
卓越的 CMTI(下限值):±100kV/µs
优异的电磁兼容性 (EMC)
系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
低辐射
隔离栅寿命:> 25 年
SOIC-16 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装选项
安全和监管批准:
8000VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
已完成所有 DW 封装认证;已完成符合 UL、VDE 标准的 DWW 封装认证,并已针对 VDE、CSA 和 CQC 进行规划
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率:DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅:
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)
• SOIC -16 封装(宽体),WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8(窄体)