适用于汽车电子 应用
下列性能符合 AEC-Q100 标准:
器件温度 1 级:–40°C 至 +125°C 的环境工作温度范围
器件 HBM ESD 分类等级 H3A
器件 CDM ESD 分类等级 C4
传播延迟低于 20ns
低功耗
安全及管理批准:
符合 VDE 标准的 4242VPK 隔离,符合 UL 1577 标准的 2.5kVrms 隔离,通过 IEC 60950-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准验证的 CSA
50kV/µs 瞬态抗扰度典型值
工作电压和逻辑电平范围为 3.3V 至 5V
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率:DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅:
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)
• SOIC -16 封装(宽体),WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8(窄体)