• 信号传输速率:DC to 150Mbps
• 宽电源电压范围:2.5V to 5.5V
• 宽温度范围:‐40°C to 125°C
• 无需启动初始化
• 默认输出高电平和低电平选项
• 优异的电磁抗扰度
• 高 CMTI:±150kV/µs (典型值)
• 低功耗,(典型值):
▪ 电流为 1.5mA/通道(@5V, 1Mbps )
▪ 电流为 6.6mA/通道(@5V, 100Mbps )
• 精确时序 (典型值)
▪ 12ns 传播延迟
▪ 1ns 脉冲宽度失真
▪ 2ns 传播延迟偏差
▪ 5ns 最小脉冲宽度
• 高达 5KVRMS 的隔离电压
• 隔离栅寿命:>40 年
• 施密特触发器输入
• 窄体 SOIC8(S),宽体 SOIC8(G)封装和宽体SOIC16(W),符合 RoHS 标准
• 安规认证
▪ DIN V VDE 0884‐17:2021‐10 认证
▪ UL1577 器件程序认证
▪ 根据 GB 4943.1‐2022 认证
▪ 根据 IEC 61010‐1:2010+A1 认证
• 安全相关认证
DIN VDE V 0884-11: 2017-01
符合 UL 1577 组件认证
CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准
符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证
符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。
•增强电磁兼容性(EMC)
系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性
±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护
低辐射
• 数据率:DC 至 150 Mbps
• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V
• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C
• 稳健可靠的隔离栅:
可实现 40 年以上的预期使用寿命
高达 5 kVRMS 隔离额定值
高达 8 kV 浪涌能力
±200 kV/μs 典型 CMTI
• 默认输出高电平和低电平选项
• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA
• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)
• SOIC -16 封装(宽体),WB(N) SOW8L(宽体)与 SOIC - 8(窄体)