CMT8602C-W代替NCV57252DWR2G 隔离双通道IGBT/MOSFET栅极驱动器
NCV57252DWR2G
产品参数展示
峰值输出电流(±6.5 A*,±3.5 A*)
•可配置为双低侧或双高侧或半桥驱动
•可编程重叠或死时间控制
•禁用引脚关闭输出电源排序
•ANB功能提供灵活设置驱动程序
半桥驱动与单输入信号操作
•短路时IGBT/MOSFET栅极箝位
•短传播延迟与精确匹配
•所有电源的UVLO阈值都很紧
•3.3 V, 5v, 15v逻辑输入
•2.5或5 kVrms*电流隔离从输入到每个输出和1.5 kVrms输出通道之间的差分电压
•1200v工作电压(每个VDE0884−11)
•高共模瞬态抗扰度
•NCV前缀汽车和其他应用需要独特的站点和控制变化要求;AEC−Q100 Qualified and PPAP Capable
•本设备不含铅、不含卤素/不含BFR,符合RoHS标准
CMT8602C-W
产品参数展示
通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
宽温度范围:-40℃~ 125℃
4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
VCCI工作范围3V至5.5V,可连接数字和模拟控制器
CMTI大于150kv /us
隔离层寿命> 40年
TLL和CMOS兼容输入
高达30V VDD输出驱动电源
- 9V和13V VDD UVLO选项
开关参数:
典型的传播延迟为40ns
最小脉冲宽度为25ns
最大延迟匹配5ns
最大脉冲宽度失真为9ns
可编程重叠和死区时间
抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns
快速禁用电源顺序
安全认证:
8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01
5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟
CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证
GB4943.1-2011 CQC认证(计划)
适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装
功能框图
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