CMT8601C-N代替NCD5707C 高电流IGBT/MOSFET栅极驱动器-推荐产品-鼎联微电子(上海)有限公司 CMT8601C-N代替NCD5707C 高电流IGBT/MOSFET栅极驱动器
NCD5707C
产品参数展示
高电流输出(+4/−6 A)在IGBT/MOSFET米勒高原电压
•低输出阻抗增强IGBT/MOSFET驱动
•传播延迟短，匹配准确
•直接接口到数字隔离器/光电耦合器/脉冲变压器隔离驱动，逻辑兼容性非隔离驱动
•设计AEC−Q100认证(NCV5707y)
•DESAT保护与可编程延迟
•IGBT短路时软关断
•严格的UVLO阈值偏置灵活性
•宽偏置电压范围
•本设备不含铅、不含卤素，符合RoHS标准
CMT8601C-N
产品参数展示
隔离的单通道驱动器
驱动侧供电电压:带UVLO，最高可达32V
引脚兼容，滴入升级的光隔离栅极驱动器
输出电流为4A峰值源和6A汇聚
高CMTI:±150kv /us
典型传播延迟75ns
最大脉冲宽度失真30ns
操作温度:- 40°C至125°C
无铅组件，适用于无铅焊接规格:260°C, MSL3
通过SOW6、SOP8、DUB8认证
安全认证
•din vde v 0884- 11:2017 -01
UL识别:在SOW6中，1分钟内最高可达5700 Vrms;在DUB8中，1分钟内最多支持5000个vrm
•CSA组件通知5A
符合GB4943.1-2011的CQC认证
功能框图
功能框图
产品规格书下载
产品规格书下载
