CMT8601C-N代替STGAP2GSNC 用于增强模式GaN场效应管的单栅极驱动器-推荐产品-鼎联微电子(上海)有限公司 CMT8601C-N代替STGAP2GSNC 用于增强模式GaN场效应管的单栅极驱动器
STGAP2GSNC
产品参数展示
•高压导轨高达1700v
•驱动器电流能力:2 A / 3 A源/汇@25°C, VH = 6 V
•dV/dt暂态抗扰度±100 V/ns
•输入输出传播延迟:45 ns
•单独的汇和源选项，方便栅极驱动配置
•针对GaN优化的UVLO功能
•栅极驱动电压高达15v
•3.3 V, 5 V TTL/CMOS输入与迟滞
•温度关闭保护
•待机功能
•窄体SO-8封装
CMT8601C-N
产品参数展示
隔离的单通道驱动器
驱动侧供电电压:带UVLO，最高可达32V
引脚兼容，滴入升级的光隔离栅极驱动器
输出电流为4A峰值源和6A汇聚
高CMTI:±150kv /us
典型传播延迟75ns
最大脉冲宽度失真30ns
操作温度:- 40°C至125°C
无铅组件，适用于无铅焊接规格:260°C, MSL3
通过SOW6、SOP8、DUB8认证
安全认证
•din vde v 0884- 11:2017 -01
UL识别:在SOW6中，1分钟内最高可达5700 Vrms;在DUB8中，1分钟内最多支持5000个vrm
•CSA组件通知5A
符合GB4943.1-2011的CQC认证
功能框图
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产品规格书下载
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