CMT8602C-W代替NCD57201DR2G 半桥栅级驱动器(隔离高、非隔离低)--鼎联微电子(上海)有限公司 CMT8602C-W代替NCD57201DR2G 半桥栅级驱动器(隔离高、非隔离低)
NCD57201DR2G
产品参数展示
•高峰值输出电流(+1.9 A/−2.3 A)
•低输出电压降增强IGBT传导
•浮动通道启动操作高达+800 V
•CMTI高达100 kV/s
•可靠运行VS负摆幅至- 800v
•VDD和VBS供电范围高达20v
•3.3 V, 5v, 15v逻辑输入
•不对称电压下锁定阈值为高侧和低侧
•匹配传播延迟90 ns
•内置20 ns最小脉冲宽度滤波器(或输入噪声滤波器)
•非−反相输出信号
•NCV前缀汽车和其他应用需要独特的站点和控制变化要求;AEC−Q100 Qualified and PPAP Capable
•本设备不含铅、不含卤素/不含BFR，符合RoHS标准
CMT8602C-W
产品参数展示
通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
宽温度范围:-40℃~ 125℃
4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
VCCI工作范围3V至5.5V，可连接数字和模拟控制器
CMTI大于150kv /us
隔离层寿命> 40年
TLL和CMOS兼容输入
高达30V VDD输出驱动电源
- 9V和13V VDD UVLO选项
开关参数:
典型的传播延迟为40ns
最小脉冲宽度为25ns
最大延迟匹配5ns
最大脉冲宽度失真为9ns
可编程重叠和死区时间
抑制输入脉冲和噪声瞬态< 25ns
快速禁用电源顺序
安全认证:
8000-VPK增强隔离符合DIN V VDE V 0884- 11:17 -01
5700-VRMS按照UL 1577隔离1分钟
CSA符合IEC 60950-1和IEC 62368-1, IEC 61010-1和IEC 60601-1终端设备标准认证
GB4943.1-2011 CQC认证(计划)
适用于SOW14 / SOW16 / SOP16封装
功能框图
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产品规格书下载
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