CMT8601C-N代替STGAP2SICSCTR 电隔离 4A用于SiC mosfet的单栅极驱动器--鼎联微电子(上海)有限公司

•高压导轨高达1200v

•驱动器电流能力:4 A汇/源 在25°C

•dV/dt瞬态抗扰度在全温度范围内±100 V/ns

•整体输入输出传播延迟:75 ns

•单独的汇和源选项，方便栅极驱动配置

•4个米勒CLAMP专用引脚选项

•UVLO功能

•栅极驱动电压高达26v

•3.3 V, 5 V TTL/CMOS输入与迟滞

•温度关闭保护

•待机功能

•6千伏电流隔离

•宽机身SO-8W封装