CMT8601C-N代替UCC21739QDWQ1 汽车10A源/汇隔离单通道栅极驱动器，用于SiC/IGBT，具有主动保护，隔离模拟传感和高cmti--鼎联微电子(上海)有限公司

•3kVRMS单通道隔离栅极驱动器

•AEC-Q100具备汽车应用资格

–设备温度等级1：-40°C至+125°C环境工作温度范围

–设备HBM ESD分类等级3A

–装置CDM ESD分类等级C3

•高达900Vpk的SiC MOSFET和IGBT

•33V最大输出驱动电压（VDD-VEE）

•±10A驱动强度和分流输出

•最小CMTI为150V/ns

•270ns响应时间快速过电流保护

•外部活动米勒夹具

•发生故障时内部2级关闭

•带PWM输出的隔离模拟传感器

–使用NTC、PTC或热二极管进行温度传感

–高压直流链路或相电压

•过电流报警FLT，并从RST/EN复位

•RST/EN上的快速启用/禁用响应

•抑制输入引脚上<40ns的噪声瞬态和脉冲

•12V VDD UVLO，RDY电源良好

•具有过/欠拍瞬态电压的输入/输出抗扰度高达5V

•130ns（最大值）传播延迟和30ns（最大）脉冲/部分偏斜

•SOIC-16 DW封装，爬电距离和间隙距离>8mm

•工作结温度–40°C至150°C

•安全相关认证：

–4242VPK隔离符合DIN EN IEC 60747-17（VDE 0884-17）