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CMT8261W1替代NSi8261W1-DSWR,高可靠性六通道数字隔离器

NSi8261W1-DSWR
产品参数展示

•隔离耐压3000Vrms, 5000Vrms

•VDE增强型隔离认证

•数据速率DC至150Mbps

•高CMTI:200kV/μs

•芯片级ESD:  HBM: ±8kV

•增强的系统级ESD 、EFT、抗浪涌能力

•隔离栅寿命:>60年

•低传播延迟典型值<15ns

•低功耗: 1.5mA/ch (1 Mbps)

•工作温度:-55~125℃

•符合RoHS的封装:SSOP16, SOW16

• UL1577认证: 1分钟 3kVrms/5kVrms

• CQC认证:符合GB4943.1-2011

• CSA认证:组件符合5A

• VDE认证:DIN V VDE V 0884-11:2017-1

CMT8261W1
产品参数展示

• 安全相关认证

  DIN VDE V 0884-11: 2017-01

  符合 UL 1577 组件认证

  CSA 认证,符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1, IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标准

  符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

  符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN 61010-1 标准的 TUV 认证。

•增强电磁兼容性(EMC)

  系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性

  ±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护

  低辐射

• 数据率:高达150 Mbps

• 宽电源电压范围:2.5 V 至 5.5 V

• 工作环境温度范围:-40°C to 125°C

• 稳健可靠的隔离栅:

  可实现 40 年以上的预期使用寿命

  高达 5 kVRMS 隔离额定值

  高达 8 kV 浪涌能力

  ±250 kV/μs 典型 CMTI

• 默认输出高电平和低电平选项

• 低功耗,1 Mbps 时每通道的电流典型值为1.5mA

• 低传播延迟:典型值为 9 ns(由 5V 电源供电)

• SOIC16 封装 (宽体和窄体)

功能框图
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